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Este Cmap, tiene información relacionada con: Transistores IGBT y sus características 1, Transistores IGBT y sus características Funcionamiento • Los IGBT se controlan por tensión, como los MOSFET. • Se encienden cuando se aplica un voltaje positivo en la puerta (G). • Se apagan cuando se quita la tensión de la puerta. • Permiten el paso de la corriente cuando están encendidos y la bloquean cuando están apagados., ???? VIDEO, Es un dispositivo semiconductor que combina las características de los transistores MOSFET y los transistores bipolares (BJT). Partes, Es un dispositivo semiconductor que combina las características de los transistores MOSFET y los transistores bipolares (BJT). Caracteristicas • Son de corriente controlada. • Tienen una alta capacidad de manejar corriente y voltaje. • Tienen una baja tensión de saturación. • Tienen una alta impedancia de entrada. • Tienen una velocidad de conmutación alta. • Tienen una alta densidad de corriente. • Tienen una ganancia de potencia mayor que los tubos BJT y MOS., Transistores IGBT y sus características Ventajas • Alta eficiencia energética. • Baja potencia requerida para el control. • Capacidad de manejar altos voltajes y corrientes. • Diseño compacto, lo que permite su integración en aplicaciones industriales., • Son de corriente controlada. • Tienen una alta capacidad de manejar corriente y voltaje. • Tienen una baja tensión de saturación. • Tienen una alta impedancia de entrada. • Tienen una velocidad de conmutación alta. • Tienen una alta densidad de corriente. • Tienen una ganancia de potencia mayor que los tubos BJT y MOS. Conclusion Los transistores IGBT son componentes fundamentales en la electrónica de potencia moderna, ofreciendo una combinación única de eficiencia, capacidad de manejo de corriente y rapidez de conmutación. Su uso continuará expandiéndose a medida que la tecnología avance y se desarrollen dispositivos más eficientes y potentes., Transistores IGBT y sus características Desventajas • Pérdidas por conmutación más altas en comparación con los MOSFET para frecuencias muy altas. • Mayor susceptibilidad a fallos por sobrecorriente o sobretensión, lo que requiere protección adicional. • Tiempo de apagado más lento en comparación con los MOSFET., Es un dispositivo semiconductor que combina las características de los transistores MOSFET y los transistores bipolares (BJT). Caracteristicas • Son de corriente controlada. • Tienen una alta capacidad de manejar corriente y voltaje. • Tienen una baja tensión de saturación. • Tienen una alta impedancia de entrada. • Tienen una velocidad de conmutación alta. • Tienen una alta densidad de corriente. • Tienen una ganancia de potencia mayor que los tubos BJT y MOS., • Relación entre corriente de colector y tensión. • Capacidad de manejar altas tensiones y corrientes: • IGBTs típicos soportan hasta 1200 V y corrientes > 100 • A. • Tiempos de conmutación: • Encendido y apagado más lentos que un MOSFET, • pero con menores pérdidas de conducción. • Limitaciones térmicas: • Necesidad de disipadores o sistemas de enfriamiento • para evitar sobrecalentamiento. Simbolo, Es un dispositivo semiconductor que combina las características de los transistores MOSFET y los transistores bipolares (BJT). Tabla Comparativa IGBT con otros transistores, VIDEO, Transistores IGBT y sus características Definicion Es un dispositivo semiconductor que combina las características de los transistores MOSFET y los transistores bipolares (BJT)., Es un dispositivo semiconductor que combina las características de los transistores MOSFET y los transistores bipolares (BJT). Curvas de Operacion • Relación entre corriente de colector y tensión. • Capacidad de manejar altas tensiones y corrientes: • IGBTs típicos soportan hasta 1200 V y corrientes > 100 • A. • Tiempos de conmutación: • Encendido y apagado más lentos que un MOSFET, • pero con menores pérdidas de conducción. • Limitaciones térmicas: • Necesidad de disipadores o sistemas de enfriamiento • para evitar sobrecalentamiento.